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NDFPD1N150CG中文资料

NDFPD1N150CG图片

NDFPD1N150CG外观图

  • 大小：298KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220
  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：-
  • 包装：管件
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：1500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：150 欧姆 @ 50mA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.2 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：80 pF @ 30 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2W（Ta），20W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-220-3
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包

NDFPD1N150CG供应商

更新时间:2023-01-10 13:06:57
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